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UHP前驅體源瓶

材質(zhì):316L或特殊材質(zhì)

氦泄漏率< 4.0 × 10°mbarL/S 。

溫度范圍:-50°C至+100°C。

表面處理:EP,Ra≤0.25μm

灌裝介質(zhì):金屬有機前驅體材料、硅基前驅體材料及其他高純前驅體化學(xué)品

可裝化學(xué)品純度:99.9999%~99.9999999%

全自動(dòng)軌道焊接技術(shù)確保罐體無(wú)焊接死角。

穩固的安全設計,所有型號的源瓶都經(jīng)過(guò)破壞性壓力測試和高空跌落測試。

與設備廠(chǎng)商充分合作,設計最佳輸送管道尺寸和形狀,所有管道路線(xiàn)與尺寸已針對飽和度和吞吐量進(jìn)行了優(yōu)化。

清晰的標簽標識管理,便于安裝。

最優(yōu)產(chǎn)量?jì)?yōu)化設計,確保了工藝中有機金屬化合物的最高收率為≥95%。

易于集成大多數現有的輔助系統和溫度控制系統。

采用高質(zhì)量材料及生產(chǎn)工藝,確保清潔、改裝和重復灌裝可輕松進(jìn)行。

  • 尺寸參數
  • 產(chǎn)品特性


 

 

 

 

 

 

 

 

Volume(ML)

Part Number

A(mm)

B(mm)

C(mm)

D(mm)

E(mm)

測溫孔

INLET & OUTLET PORT

100

BC-0100

76.2

145

50.8

83

13

VCR-M/F

200

BC-0200

133.4

145

50.8

83

13

VCR-M/F

500

BC-0500

139.7

145

76.2

83

13

VCR-M/F

1000

BC-1000

158.8

135

101.6

83

13

VCR-M/F

1200

BC-1200

184.2

135

101.6

83

13

VCR-M/F

2500

BC-2500

219.7

95.3(135)

168.3

83

13

VCR-M/F

4000

BC-4000

254

135

165.2

83

13

VCR-M/F

5000

BC-5000

304.8

135

165.2

83

13

VCR-M/F

8000

BC-8000

400

127

168.3

83

13

VCR-M/F


前驅體源瓶
       在A(yíng)LD、CVD等半導體工藝制程中,選擇合適的前驅體對工藝控制、薄膜性能等方面至關(guān)重要:同時(shí)根據前驅體特性,如揮發(fā)性、反應性等,配以合適的源瓶對工藝會(huì )有協(xié)同效應。邁格諾科全新系列源瓶組件通過(guò)對選材到成型工藝的高品質(zhì)把控,能適應絕大部分前驅體封裝存儲,為整段沉積工藝提供絕佳的安全性和潔凈度保障。

為半導體、生物制藥和化學(xué)沉積行業(yè)提供可靠的流體介質(zhì)存儲及輸送方案。

      我們提供 400 多種鋼瓶型號,容積從 10 毫升到 100 升不等。并通過(guò)一系列清潔、改裝和氣瓶重新認證等業(yè)務(wù)為客戶(hù)提供全方位產(chǎn)品服務(wù)。
目前,廠(chǎng)房面積有15000㎡,廠(chǎng)內建有通過(guò)第三方認證的千級及百級潔凈間,并在百級潔凈間內配有多套18兆超純水清洗及氣體抽烘置換裝置,擁有前驅體源瓶設計、制造、測試、清潔和封裝的全制程生產(chǎn)能力。
      目前產(chǎn)品已通過(guò)TUVPED4.3 認證,邁格諾科可以響應半導體、食品和制藥行業(yè)的任何容器要求。如有需求,請致電我們了解更多信息。